La nanoestructuración electroquímica por medio de una punta de microscopio de efecto túnel (STM) es un campo de gran interés en electroquímica. Diferentes técnicas se han empleado hasta el presente para la generación de estructuras con dimensiones nanométricas. Entre ellas, cabe mencionar la deposición local inducida por punta [1], la deposición local inducida por defectos [2], y la deposición inducida por sobresaturación [3].
En la primera de estas aproximaciones, las nanoestructuras se generan por transferencia mecánica de materia desde la punta del STM hacia la superficie del sustrato. En la segunda aproximación, se generan defectos sobre una superficie metálica por un cambio en la diferencia de potencial aplicada entre la punta y la superficie, con la subsiguiente decoración de los defectos producidos en la superficie. En la tercera aproximación, el metal se deposita sobre la punta del STM, y un pulso de potencial se aplica a la punta, generando una supersaturación local, que lleva a un proceso de nucleación y crecimiento.
En el presente trabajo informamos sobre avances recientes en la simulación computacional del tercer tipo de procesos. Consideramos en una primera aproximación la evolución de átomos neutro en un baño browniano. Posteriormente, introducimos los efectos de la carga eléctrica de las especies iónicas en la simulación. La influencia de diferentes parámetros experimentales en las características de la nanoestructuras generadas es analizada.
Referencias
[1] D.M.Kolb, R. Ullmann and T. Will, Science 275 (1997)1097.
[2] X.H. Xia, R. Schuster, V. Kirchner, G. Ertl, J. Electroanal. Chem. 461(1999)102.
[3]W. Schindler, P. Hugelmann, M. Hugelmann, F.X. Kaertner, J. Electroanal. Chem. 522(2002)49.
