La nanoestructuración  electroquímica en superficies de sólidos ha sido abordada usando básicamente cuatro tipos de técnicas [1]: técnicas de depósito inducido por punta, donde un pequeña cantidad de metal es transferido desde una punta de STM a la superficie, técnicas  de depósito inducido por campo, donde la distribución inhomogénea del campo eléctrico entre la punta de STM y el sustrato es empleado para generar nanoestructuras, técnicas de depósito inducido por defectos, donde defectos creados en superficies actúan como centros de nucleación y crecimiento y nucleación electroquímica inducida por punta.

En este trabajo modelamos la deposición electroquímica inducida por defectos mediante simulaciones atomísticas de Monte Carlo Gran Canónico, usando potenciales de átomo embebido[2,3]. Presentamos el crecimiento de diferentes tipos de estructura en estos defectos bajo diferentes condiciones. Dependiendo del sistema, se encuentran notables diferencias en la forma en que los defectos son decorados, así como en la energética del sistema. Cuando la interacción de los átomos de adsorbato con el sustrato es menos favorable que la interacción del adsorbato consigo mismo, los conglomerados crecen en forma escalonada por encima del nivel de la superficie. En el caso opuesto, el llenado de la cavidad ocurre en forma escalonada, sin la observación del crecimiento del conglomerado por encima del nivel de la superficie. A los efectos de elaborar un modelo minimalista del presente problema, estos estudios se comparan con simulaciones realizadas empleando un modelo reticular con un potencial de interacción de a pares a primeros vecinos que presenta un mínimo de parámetros libres.

LITERATURA

[1] G. Staikov, W. Lorenz, E. Budevski en "Imaging of Surfaces and Interfaces", J. Lipkowski, P.N. Rossn eds, Wiley-VCH, New York,1999.

[2] S. M. Foiles, M.I. Baskes, M.S. Daw, Phys. Rev. B 33 (1986) 7983.

[3] M.S. Daw and M.I. Baskes, Phys. Rev. Lett. 50 (1983) 1285.