Estudio de la interacción átomos de F con MoS2 bidimensional

La Plata

Congreso; XXII Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica. 19, 21, 23, 27 y 29 de abril, 2021 La Plata.; 2021

Asociación Argentina de Fisicoquímica y Química Inorgánica

Etching es una técnica para eliminar la parte no deseada de la superficie de unmaterial.1 Existen muchos métodos, tanto físicos como químicos, para llevar a cabo esta técnica. Uno de ellos es a través de plasmas de átomos de flúor, por ejemplo, el etching de MoS2 causado por la exposición al plasma de CF4. En este método, se forma flúor atómico por la disociación de CF4, que luego reacciona con MoS2 para formar fluoruros relacionados con Mo y S, como por ejemplo MoF6, SF4 y SF6.2En este trabajo, se realizaron estudios de dinámica molecular ab-initio, a diferentes temperaturas, para analizar los mecanismos por los cuales la superficie de MoS2 interactúa con átomos de F y moléculas de F2. Además, a partir de estructuras con diferentes grados de cubrimiento se estudiaron los procesos de difusión de átomos de F sobre la superficie de MoS2