El comportamiento electroquímico de metales ?válvula? como Ti, Zr, Ta, Bi, Sb, etc., ha sido estudiado bajo diversas condiciones de formación en relación a los modelos aplicables al crecimiento de óxidos anódicos aplicando diversas metodologías.
Recientemente, Bojinov [1] ha propuesto un modelo basado en el modelo de defectos puntuales (PDM) desarrollado por Macdonald [2] empleando un análisis de carga superficial, para dar cuenta de los efectos inductivos obtenidos en mediciones de espectroscopia de impedancia electroquìmica (EIS) para distintos sistemas. De acuerdo a dicho modelo, usualmente los fenómenos inductivos obtenidos a frecuencias intermedias se deben a la relajación de portadores de carga negativos acumulados en la interface óxido/electrolito.
En este trabajo se estudian el crecimiento, propiedades y estructura de películas de óxido de antimonio en soluciones de fosfato de distinto pH y con agregado de catión cesio, crecidas por métodos potenciodinámicos combinados con sostenimientos de potencial y las propiedades eléctricas se obtienen por EIS. La respuesta obtenida es compleja y fuertemente dependiente del pH y de la composición del electrolito, obteniéndose distintas constantes de tiempo atribuibles a las propiedades dieléctricas de la película, a la modulación del espesor y al efecto de relajación de cargas. La respuesta EIS se interpreta en términos de elementos eléctricos pasivos mediante el empleo del Modelo de Acumulación de Cargas Superficiales [1]. Se formulan circuitos para dar cuenta de la constante de tiempo RC obtenida a bajas frecuencias y su significado, como así también la modificación desde un comportamiento inductivo a uno capacitivo frente al agregado de Cs+. Se discute la dependencia de los valores obtenidos de los distintos elementos con el potencial de formación, pH y la composición del electrolito.

Referencias
[1] M. Bojinov, Electrochim. Acta 42 (1997) 3489.
[2] D.D. Macdonald, J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 3434.