Síntesis de Nanoestructuras de ZnO con diferente morfología

CECILIA VAZQUEZ; ANA M BARUZZI; RODRIGO A IGLESIAS

Carlos Paz

Congreso; XX CONGRESO ARGENTINO DE FISICOQUIMICA Y QUIMICA INORGANICA; 2017

AAIFQ

El ZnO es un semiconductor directo tipo n con un bandgap (diferencia de energía entre las bandas de valencia y conducción) de 3,37 eV a temperatura ambiente. Este óxido puede ser sintetizado en una gran variedad de geometrías y empaquetamientos, como por ejemplo nanovarillas, nanoesferas, nanoanillos, panal de abejas, tetrapods, etc. [1] Este tipo de nanoestructuras, particularmente las nanovarillas, están siendo estudiadas con el objetivo de mejorar la eficiencia de diversos dispositivos, tales como lasers, diodos emisores de luz (LEDs), celdas solares de tercera generación, sensores, catalizadores, etc [2]. Actualmente, existe una amplia variedad de metodologías de síntesis de ZnO de diverso tamaño y morfología, las cuales incluyen procesos sol-gel, CVD (del inglés, Chemical Vapor Deposition), hidrotermal y electroquímica [3,4].En el presente trabajo, se muestran los resultados de diferentes síntesis electroquímicas e hidrotermales de ZnO sobre superficies de ITO (del inglés, Indium Tin Oxide) bajo diversas condiciones experimentales, para la obtención de films delgados y nanovarillas perpendiculares a la superficie para ser utilizados en dispositivos optoelectrónicos.