LINAREZ PÉREZ OMAR EZEQUIEL
Congresos y reuniones científicas
Título:
Caracterización superficial de películas anódicas de óxidos de metales ?válvula?
Autor/es:
O. E. LINAREZ PÉREZ; M. LÓPEZ TEIJELO
Lugar:
Centro Atómico Bariloche, Instituto Balseiro, Universidad Nacional de Cuyo, San Carlos de Bariloche, Argentina
Reunión:
Congreso; Primer Encuentro de Física y Química de Superficies; 2004
Resumen:
Las películas pasivas representan un tópico especial en la electroquímica y han sido ampliamente estudiadas en los últimos 200 años. A pesar de ello, los procesos fundamentales que controlan el crecimiento no son aun completamente comprendidos. En general, las películas pasivas de óxidos son aplicadas en protección contra la corrosión. Esto requiere que las películas sean estables, de baja conductividad iónica, sin estrés mecánico y homogeneidad en su estructura. Sin embargo, dependiendo de las condiciones de formación, la presencia de poros y/o huecos modifican estas propiedades.
En este trabajo se estudian la cinética de crecimiento y la estructura de películas anódicas de óxidos de metales válvula (principalmente Sb y Bi) en diferentes electrolitos y en presencia de aniones agresivos (Cl-) en un amplio espectro de condiciones de crecimiento. La morfología superficial de las películas anódicas fue obtenida por microscopía de fuerzas atómicas (AFM). A su vez, las propiedades electrónicas se analizan a partir de mediciones de espectroscopía de impedancia electroquímica (EIS) en base al modelo de acumulación de cargas superficiales [1].
[1] M. Bojinov, Electrochim. Acta 42, 3489 (1997).
En este trabajo se estudian la cinética de crecimiento y la estructura de películas anódicas de óxidos de metales válvula (principalmente Sb y Bi) en diferentes electrolitos y en presencia de aniones agresivos (Cl-) en un amplio espectro de condiciones de crecimiento. La morfología superficial de las películas anódicas fue obtenida por microscopía de fuerzas atómicas (AFM). A su vez, las propiedades electrónicas se analizan a partir de mediciones de espectroscopía de impedancia electroquímica (EIS) en base al modelo de acumulación de cargas superficiales [1].
[1] M. Bojinov, Electrochim. Acta 42, 3489 (1997).
