Estudio de la estabilidad del crecimiento, estabilidad y propiedades de películas de Bi2O3.

O. E. LINAREZ PÉREZ; M. A. PÉREZ; M. LÓPEZ TEIJELO

Santa Fe, Argentina.

Congreso; XXIV Congreso Argentino de Química; 2002

La electroquímica de los denominados metales "válvula" (Al, Ti, Zr, Ta, Bi, etc.) ha sido ampliamente estudiada debido a sus aplicaciones en microelectrónica, películas ópticas, manufactura de capacitores, protección contra la corrosión, etc.En el presente trabajo se estudia el crecimiento anódico de películas de óxido de bismuto bajo diferentes condiciones sobre electrodos de bismuto, como así también su estabilidad y propiedades en electrolitos de distinta composición y pH.La cinética de crecimiento se caracteriza mediante experimentos de voltamperometría cíclica. Los perfiles corriente/potencial bajo distintas condiciones de formación pueden ser simulados en base a las ecuaciones cinéticas que describen su crecimiento y la existencia de reacciones de disolución o formación de películas porosas.Las mediciones de elipsometría realizadas permiten determinar el espesor del óxido durante el proceso de formación y crecimiento como así también conocer el campo eléctrico en el interior del óxido. También se emplea la elipsometría ´in situ´ como técnica de monitoreo de la estabilidad química de las películas de óxido formadas.  Las propiedades eléctricas de las películas se obtienen por Espectroscopía de Impedancia Electroquímica (EIE), empleando diferentes modelos (película simple, película simple con carga espacial, película porosa, etc.) para simular el comportamiento de la interfase electroquímica. Los modelos físicos  se representan por medio de circuitos eléctricos equivalentes a partir de los cuales se obtienen las propiedades dieléctricas de las películas electroformadas mediante el ajuste de los datos experimentales.Agradecimientos: Este trabajo ha sido financiado con fondos provenientes de CONICET, Agencia Córdoba Ciencia S.E. y SECYT (UNC).