Estabilidad química de cadenas alquílicas covalentemente enlazadas a superficies de Si(111)

F. A .SORIA; E. M. PATRITO; P. PAREDES-OLIVERA

Córdoba

Congreso; XVII Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2011

La cara 111 de Si es de interés dado que puede ser preparada química y estructuralmente bien definidas por etching con NH4F(ac) el cual proporciona superficies de Si hidrogenadas, que poseen largas terrazas donde los átomos de Si atop son terminados por átomos de H orientados normal al plano de la superficie [1]. Mediante el protocolo de dos pasos cloración/alquilación estas superficies son alquiladas dando lugar a la formación de enlaces Si-C [2]. La estabilidad de estas superficies expuestas a condiciones ambientales, es muy importante, dado que la oxidación de las superficies modifica las propiedades químicas y eléctricas. Experimentalmente se estudió el efecto del enlace C-C mas cercano a la superficie, y se determinó que las superficies de Si-CH=CH-CH3 son mas estables que las superficies Si-CC-CH3, y que las Si-CH2-CH2-CH3 [3]. De esta manera, el objetivo de este trabajo es entender, mediante cálculos a nivel de teoría del funcional de la densidad (DFT), cuáles son los factores que hacen que la superficie terminada en Si-CH=CH-CH3 sea mas estable que las demás.