Los sustratos de silicio ofrecen numerosas ventajas cuando se los compara con otras superficies. Entre las principales se encuentran que: 1) tienen una superficie cristalina muy bien definida, 2) las superficies completamente hidrogenadas se preparan fácilmente y 3) forman monocapas orgánicas altamente estables debido al enlace covalente entre Si y C. Sin embargo existen algunas limitaciones a la hora de desarrollar dispositivos electrónicos basados en estas superficies funcionarizadas. El principal problema radica en que luego de la funcionalización existen átomos insustituídos sobre la superficie de silicio. Debido al impedimento estérico, el número máximo de cubrimiento sobre la superficie que se puede alcanzar con una cadena alifática larga es del 50%. Los átomos insustituídos pueden ser oxidados, lo que introduce defectos superficiales electrónicamente activos. En el siguiente trabajo se investigó teóricamente la estabilidad de las estructuras formadas sobre Si(111) adsorbiendo pequeñas moléculas orgánicas e inorgánicas con formación de enlaces Si-C, Si-N y Si-O. Se estudió el efecto de los puentes hidrógenos intracadena en la estructura y estabilidad de monocapas terminadas en ?OH, -NH2, y ?COOH. El enlace de átomos electronegativos con átomos de Si superficiales produce una pérdida de densidad electrónica en el silicio, que polariza los enlaces vecinos. Por lo tanto, se investigó el efecto del enlace adsorbato-superficie en los enlaces vecinos. Se sabe que la oxidación subsuperficial produce un importante cambio en la frecuencia de estiramiento del enlace Si-HG, sin embargo se desconoce el efecto que produce en la estructuración, estabilidad y propiedades electrónicas de las monocapas orgánicas. Por la tanto, también se investigó la termodinámica de la formación de óxidos en superficies de Si(111) con diferente funcionalización.
